Samsung разработала модуль памяти DDR5 объёмом 512 ГБ

Samsung разработала модуль памяти DDR5 объёмом 512 ГБ

На конференции HotChips 33 компания Samsung представила первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Он работает с частотой 7200 МГц при напряжении 1,1 В.

Решение южнокорейского производителя превосходит DDR4 по четырём основным аспектам: производительность, скорость, ёмкость и токопотребление. Отмечается общее повышение производительности на 40%, увеличение скорости работы в 2,2 раза, повышение объёма памяти вдвое и снижение напряжения на 8%.

Сообщается, что подобные модули разработаны для центров обработки данных. Samsung не собирается останавливаться на достигнутом. Компания планирует выпустить модули терабайтной ёмкости для серверов следующего поколения и хочет сделать DDR5 основным стандартом к 2023—2024 году.

Samsung разработала модуль памяти DDR5 объёмом 512 ГБ

Источник: gamemag.ru



Добавить комментарий